Что такое ПЗУ в смартфоне?

Что такое ОЗУ и ПЗУ?

Все смартфоны имеют определенный объем памяти, и это один из ключевых моментов, который следует учитывать при покупке нового телефона. Есть два типа памяти: RAM (немедленная) и ROM (внутренняя). ОЗУ обычно имеет меньшую емкость и помогает процессору быстро получать всю информацию, необходимую для работы. ПЗУ или внутренняя память больше похожа на долговременную память, и именно здесь можно установить всю операционную систему, а также приложения и файлы. Давайте рассмотрим их подробнее!

Хотите пропустить вперед? Перейти к:

Что такое оперативная память?

Чтобы понять, что такое ОЗУ, вам нужно знать, что это означает: оперативная память. он называется так, потому что его можно читать и записывать в любой момент без необходимости ждать в очереди процессов. Это значительно ускоряет поиск информации, поскольку, в отличие от ПЗУ или microSD, можно легко получить доступ к физическому местоположению, в котором хранятся данные.

Функции оперативной памяти

В ОЗУ загружается все, что требуется устройству для работы, то есть операционная система, используемые приложения и те, которые работают в фоновом режиме. ОЗУ – это то место, где процессор напрямую получает необходимую информацию. Следовательно, оперативная память и процессор содержатся в едином (неделимом) модуле, который припаян непосредственно к материнской плате.


Материнская плата Nexus 5X / ©
я чиню это

Чем больше оперативной памяти у вас на смартфоне, тем выше производительность и быстрее будет телефон, но это также будет зависеть от типа памяти и качества сборки телефона.

Оперативная память работает только при включенном устройстве

ОЗУ работает только тогда, когда устройство включено, а это означает, что этот тип памяти не может хранить информацию после выключения устройства. Вот почему при включении смартфона происходит небольшая задержка – это время, необходимое телефону для загрузки оперативной памяти системой.

Типы RAM

Существует много разных типов оперативной памяти, и это может быть довольно сложно. В целом основные отличия заключаются в скорости чтения и энергопотреблении. Самые ранние сообщения об оперативной памяти появились в 1960-х годах, и с тех пор каждое новое поколение имеет большую емкость, работает быстрее и потребляет меньше энергии.

В смартфонах используется особый тип оперативной памяти LPDDR, которая потребляет мало энергии, очень мало нагревается, очень мала и, конечно же, довольно дорога. В настоящее время наиболее распространенными ОЗУ являются LPDDR2, LPDDR3 и LPDDR4. Это последние три поколения такого рода памяти для мобильных устройств. Основное различие между ними заключается в том, что с каждым новым поколением скорость передачи увеличивается вдвое.


Вашему смартфону необходимы два типа памяти для выполнения повседневных функций / © NextPit

Что такое ПЗУ?

Если RAM – это память для чтения-записи, то ROM – это постоянная память. Данные, хранящиеся в ПЗУ, нельзя изменить, по крайней мере, легко или быстро.

В более поздних поколениях, таких как EPROM или Flash EEPROM (флэш-память), контент можно удалять и перезаписывать несколько раз, но он по-прежнему считается «только для чтения». Основная причина сохранения его названия «только для чтения» заключается в том, что процесс перепрограммирования (стирания и записи) обычно медленный и может быть записан только в местах, определенных форматированием.

ПЗУ, встроенные в смартфоны в наши дни, намного быстрее, чем традиционные жесткие диски компьютеров, а также припаяны непосредственно к материнской плате. Именно в этом ПЗУ хранится загрузчик (программа, запускающая устройство и загружающая операционную систему), а также сама операционная система и все пользовательские данные и приложения.

Обычно модифицированные версии операционной системы также называются ПЗУ. Быстрый онлайн-поиск покажет вам, что существует ряд настраиваемых ПЗУ. ПЗУ названы таким образом, потому что они представляют собой образ системы, аналогичный тому, который установлен в ПЗУ на заводе.

Была ли эта статья вам полезна? Что еще вы хотели бы узнать по этой теме?

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — что это такое и зачем используется

Что такое ПЗУ

ПЗУ или ROM (Read only memory – Только для чтения) – типичное устройство хранения неизменяемой информации, включенное в состав почти каждого компонента ПК и телефона и требующееся для запуска и работы всех элементов системы. Содержимое в ROM записано производителем аппаратного обеспечения и содержит директивы для предварительного тестирования и запуска устройства.

Свойствами ПЗУ являются независимость от питания, невозможность перезаписи и возможность хранить информацию длительные сроки. Информация, содержащаяся в ROM, вносится разработчиками однажды, и аппаратное обеспечение не допускает её стирания, хранится до окончания службы компьютера или телефона, или его поломки. Конструктивно ПЗУ защищены от повреждений при перепадах напряжения, поэтому нанести ущерб содержащейся информации могут только механические повреждения.

По архитектуре делятся на масочные и программируемые:

  • В масочных устройствах информация вносится с помощью типичного шаблона на финальном этапе изготовления. Содержащиеся данные не могут быть перезаписаны пользователем. Разделяющими компонентами выступают типичные pnp элементы транзисторов или диодов.
  • В программируемых ПЗУ (Programmable ROM) информация представлена в виде двумерной матрицы проводящих элементов, между которыми расположен pn переход полупроводникового элемента и металлическая перемычка. Программированием такой памяти происходит устранением или созданием перемычек посредством тока высокой амплитуды и продолжительности.

Как разобрать и смазать вентилятор на видеокарте, процессоре, блоке питания и других компонентах

Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит

Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти. Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Читайте также  Как подключить вебкамеру к смартфону?

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Понятие ОЗУ

Аббревиатура расшифровывается, как «оперативное запоминающее устройство». ОЗУ и оперативная память – это равнозначные понятия, которые обозначают часть системы смартфона, временно хранящую данные в процессе обработки. Говоря простым языком, количество ОЗУ – это максимально возможный объем информации, способный быть обработанным телефоном или любым другим умным устройством в один момент времени.

Обратите внимание. Также оперативку часто называют RAM (Random Access Memory), что в дословном переводе с английского языка равнозначно понятию ОЗУ.

Подведение итогов

Данная статья дала понять, что такое оперативная память смартфона. ОЗУ значительно скоростнее флэш-памяти, но при этом требует постоянной подачи энергии, без которой вся информация попросту удалится. Советуем ознакомиться и с тем, как увеличить постоянную память — эта статья тоже весьма актуальна для обладателей бюджетных смартфонов.

  • https://kevin-seoshnik.ru/android/chto-takoe-operativnaya-pamyat-i-vstroennaya-pamyat-v-smartfone.html
  • https://SmartPhonus.com/%D1%87%D1%82%D0%BE-%D1%82%D0%B0%D0%BA%D0%BE%D0%B5-%D0%BE%D0%B7%D1%83-%D0%B8%D0%BB%D0%B8-ram-%D0%B2-%D1%82%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D1%84%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%85/
  • https://DoitDroid.com/ram-i-rom-pamyat/
  • https://SetPhone.ru/rukovodstva/operativnaya-pamyat-v-smartfone-chto-dayot-i-skolko-eyo-nuzhno/
  • https://TvoySmartphone.ru/uroki/298-skolko-nado-ram-na-android.html
  • https://sravnismart.ru/ram_capacity/
  • https://35zip.ru/articles/vnutrennyaya_pamyat_mobilnogo_telefona/
  • https://besprovodnik.ru/chto-takoe-ozu-samsung-kak-ochistit/

Встроенная утилита Android 7.0 и выше

Начиная с 7-ой версии Андроид, в системе появилось дополнительное приложение, получившее название «Безопасность». Это набор утилит для управления безопасностью и оптимизацией устройства. Здесь в аспекте экономии ОЗУ нас интересуют два режима:

Разрешения – режим, где следует зайти в пункт «Автозапуск», и запретить запуск приложений, которыми вы пользуетесь изредка. Например, если вы не пользуетесь Фейсбуком для связи, а лишь изредка просматриваете страницу, нет смысла разрешать ему автозагрузку и, тем самым, занимать память даже если вы им не пользовались.

В смартфонах Samsung, зайдите в настройки и выберет раздел «Оптимизация», где есть иконка «ОЗУ», зайдя в неё вы сможете освободить память и закрыть ненужные приложения.

Назначение ОЗУ в смартфоне

Оперативка в смартфоне выполняет такую же роль, как и в любом другом устройстве, будь то компьютер, ноутбук, планшет или телевизор. Задача ОЗУ – обработать как можно больше информации в один момент времени.

Объем оперативного запоминающего устройства равномерно распределяется между разными процессами, которые выполняет гаджет:

  • функционирование операционной системы и ее служб (требует больше всего ресурсов);
  • работа с приложениями, а также хранение их данных для последующего моментального доступа;
  • обработка мультимедийной информации, включая аудио, фото и видео.

Словом, ОЗУ – незаменимый компонент телефона, без которого он не смог бы функционировать. Поэтому устройство может быть лишено внутреннего накопителя, но Random Access Memory в нем есть всегда.

Разновидности

В зависимости от способа изготовления устройства ПЗУ делят на:

  • Обыкновенные, создаваемые фабричным способом. Данные в таком устройстве не изменяются.
  • Программируемые ПЗУ, допускающие изменение программы один раз.
  • Стираемое программируемое оборудование, позволяющее очищать данные с элементов и перезаписывать их, например, посредством ультрафиолета.
  • Электрически очищаемые перезаписываемые элементы, в которых допускается многократное изменение. Такой вид применяется в HDD, SSD, Flash и других накопителях. На такой же микросхеме записан BIOS на материнских платах.
  • Магнитные, в которых информация хранилась на намагниченных участках, чередующихся с не намагниченными. В них была возможна перезаписи.

Разница ПЗУ, ОЗУ в смартфоне

Любой владелец смартфона на Андроиде когда-нибудь сталкивался с неприятной ситуацией в виде засорения памяти устройства и последствий этого в виде замедленной работы, медленного запуска некогда моментально включавшихся приложений и раздражающего сообщения о том, что память девайса переполнена. Проблема обусловлена тем, что большинство приложений по умолчанию устанавливаются на внутреннюю память смартфона, разумеется со временем ее объем уменьшается, и чтобы решить проблему необходимо перенести приложение на съемный носитель. Прежде чем приниматься за дело, необходимо выяснить, какие виды памяти есть у Андроида, или любого другого смартфона, т.к. разница ПЗУ, ОЗУ в смартфоне и отличие их от функций съемного носителя имеет принципиальное значение.

ВИДЫ ПАМЯТИ В СМАРТФОНАХ АНДРОИД

1. Оперативная память

Данный вид памяти обеспечивает работу всех выполняемых в устройстве процессов. Она требует непрерывного источника питания, в том случае если питание отключается, память очищается. Смартфоны на Андроиде умеют управлять ОЗУ (оперативным запоминающим устройством), учитывая ее объем. Устройство само «решает» какое количество программ можно запустить параллельно и в каком порядке их обрабатывать. Текущие данные работы о состоянии ОЗУ находятся в менеджере задач: актуальные на данный момент процессы, объем занимаемой ими памяти и количество свободного объема.

В том случае, если Андроид-устройство сообщает вам о недостатке памяти при попытке запустить какое-либо приложение, необходимо выключить все процессы, в которых на данный момент вы не нуждаетесь: «Настройки»-«Приложения»-«Работающие приложения». Таким образом осуществляется оптимизация оперативной памяти.

2. Постоянная память

3. Карта памяти

Или по-другому флеш-карта предназначена для расширения объема пользовательской памяти. В зависимости от слота бывает разных типов и размеров, сегодня наиболее популярными и распространенными являются Micro SD. Все данные, которые хранятся на флешке доступны к изменениям и хранятся при любом состоянии смартфона, как включенном, таки и выключенном. Степень ее заполнения легок узнать аналогичным способом для объема постоянной памяти.

Карта памяти может поддерживать 32, 64 Гб объема данных, а последние модели смартфонов Хайскрин предлагают расширение до 256 Гб, также все смартфоны Highscreen имеют слот для карты памяти.

ЭВОЛЮЦИЯ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

В 2011 году смартфонам вполне хватало оперативной памяти объемов 215 Мб, а буквально через год на рынок вышли обновленные девайсы с внушительным по тем меркам объемом оперативки в 1 Гб. Разумеется, наращивание объемов продолжилось. И к 2014 году производители представили удвоенный объем 2 Гб, флагманские аппараты оснащались 3 Гб оперативки и в 2015 таким показателем уже было сложно кого-либо удивить. Получается, что за каких-то пять лет объем оперативной памяти в смартфоне вырос с 512 Мб до 4 Гб. А сегодня на рынке уже есть девайсы с объемами ОЗУ 6 Гб и 8 Гб, понятно, что расти есть куда.

Не будем повторяться о том, какую функцию несет оперативная память, влияя на общую скорость работы смартфона при разной степени загруженности и так ясно, что стремительное увеличение объемов оперативки вполне логично и позволит одновременно работать огромному количеству приложений, а это весьма явно отражается на конечном ценнике такого смартфона. Между тем, не стоит заблуждаться насчет обеспечиваемого быстродействия и уровнем мобильного устройства, т.к. очень многие смартфоны среднего класса обеспечивают приличную работу своих устройств, не последнее место на рынке занимают и смартфоны на Андроиде Хайскрин.

При этом и вовсе невероятным, но достаточно реальным моментом является тот факт, что покупая девайса с высокими показателями объема оперативной памяти в итоге ее не используют в полную силу или делают это крайне редко. Таким образом, смартфоны дают своим владельцам такие возможности, которые им просто не нужны. Не забываем и о том, что оперативная память очень энергоемка, и чем она больше, тем быстрее разряжается аккумулятор.

КАЖДОМУ ПО ПОТРЕБНОСТЯМ

Вполне логично осуществлять свой выбор пропорционально своим потребностям, если выбирать девайс с более мощными показателями и «оставить их не у дел», тогда будет просто жаль потраченных средств, если же наоборот слишком сэкономить – пользоваться таким устройством будет одно мучение.

Если вся ваша жизнь не заключается в смартфоне и устройство необходимо для совершения звонков, использования органайзера, просмотра почты, новостей, погоды и не более, тогда нет смысла отдавать за телефон больше 8 000 рублей. Подходящими вариантами будут мобильные с 1 Гб ОЗУ, 8 Гб ПЗУ и microSD.

Лирическое отступление для всеобщего понимания: Объема оперативной памяти 2 Гб хватает для стабильной работы порядка двадцати приложений средней емкости и если вы не отчаянный юзер, то навороченный девайс с объемом оперативки 4 Гб задействовать на полную катушку еще нужно потрудиться.

Читайте также  Что такое geo tagging в смартфоне?

Вполне очевидным становиться вывод, что для нормальной работы смартфона среднестатистическому пользователю достаточно будет объема ОЗУ 2-3 Гб. Этого хватит для комфортного просмотра видео в хорошем разрешении, достаточно мощных игрушек и работы в многозадачном режиме. У Хайскрин есть прекрасные варианты, к примеру телефон Highscreen Power Five Max 2 (смартфон, доступный к покупке в 2019 году) имеет две модификации с большой памятью на 4ГБ/64 ГБ + слот для карты и 3ГБ/32ГБ + слот для карты.

Фирменный магазин мобильных телефонов Хайскрин
Каталог смартфонов Highscreen

Анатомия смартфона: LPDDR4, UFS, microSD — разбираемся в типах памяти

Если основные названия чипсетов, как правило, на слуху, то на тип памяти мало кто вообще обращает внимание. Вместе с тем это важный параметр при выборе, например, игровых гаджетов. Память напрямую влияет на комфорт использования смартфона и его производительность. В статье мы расскажем, какая память бывает в карманных устройствах и на что обращать внимание при выборе.

В современных смартфонах есть три типа памяти: оперативная, внутренняя и внешняя. Но если характеристики карт памяти вы легко можете узнать при покупке, то типы ОЗУ и ПЗУ производители гаджетов зачастую не указывают. Чаще всего так происходит, когда компания использует медленную память и ей нечем похвастать — это должно стать первым звоночком при выборе устройства.

Оперативная память (RAM/ОЗУ)

С оперативной памятью в смартфонах всё сравнительно просто: во всех современных гаджетах используется технология LPDDR — модификация используемой на обычных ПК технологии DDR. Приставка LP (Low Power) означает низкое энергопотребление, которое достигается, в основном, за счёт снижения рабочего напряжения и пропускной способности.

В современных смартфонах встречается память LPDDR трёх поколений:

  • LPDDR3 — пропускная способность до 2133 Мбит/с, частота до 933 МГц, напряжение 1,2 В;
  • LPDDR4 — пропускная способность до 3200 Мбит/с, частота до 1600 МГц, напряжение 1,1 В;
  • LPDDR4x — пропускная способность до 4266 Мбит/с, частота до 1600 МГц, напряжение 0,6 В.

Стандарт LPDDR3 к настоящему времени уже считается устаревшим, хотя всё ещё используется в бюджетных гаджетах. Память типа LPDDR4 ставится в топовые устройства, а также в смартфоны средней ценовой категории. Существует и более современный тип LPDDR4x с повышенной пропускной способностью и пониженным энергопотреблением. Именно LPDDR4x стоит отдать предпочтение, если вы хотите приобрести флагман.

Современная мобильная оперативка очень быстра, но всё-таки недостаточно для некоторых задач. Например, для съёмки видео на скорости порядка 1000 fps: такой возможностью могут похвастать Sony Xperia XZ, Samsung Galaxy S9 и Huawei P20 Pro. Чтобы съёмка такого видео стала возможной, производителям пришлось пойти на технические ухищрения и встроить DRAM-слой (Dynamic RAM или динамическое ОЗУ) прямо в CMOS-сенсор камеры. Благодаря такому решению, сверхскоростные записи сначала сохраняются в DRAM-слое, и только потом постепенно обрабатываются процессором.

У флагмана Sony объём такой памяти составляет 1 Гбит, а у Samsung — 2 Гбит. Это накладывает ограничения на максимальную длительность сверхскоростной съёмки, которая равна 0,182 секунды у Xperia XZ и 0,2 секунды у Galaxy S9.

Внутренняя память (ROM/ПЗУ)

Наиболее распространённый тип внутренней памяти в современных смартфонах — недорогой eMMC, взросший на базе карт памяти MMC, совместимых, в свою очередь, со стандартом SD. Иными словами, eMMC — это распаянная на материнской плате смартфона карта памяти.

Стандарт eMMC существует в огромном количестве версий, вот наиболее актуальные из них:

  • eMMC 4.5 — 2011 год, пропускная способность до 200 МБ/с, скорость записи до 60 МБ/с;
  • eMMC 5.0 — 2013 год, пропускная способность до 400 МБ/с, скорость записи до 90 МБ/с;
  • eMMC 5.1 — 2015 год, пропускная способность до 600 МБ/с, скорость записи до 125 МБ/с.

В конце прошлого года ожидался анонс версии eMMC 5.2, но этого всё ещё не случилось.

Главным конкурентом eMMC выступает технология UFS, разработанная компанией Samsung. В отличие от технологии eMMC, которая не что иное, как модификация карт памяти, стандарт UFS изначально разрабатывался для создания быстрой внутренней памяти. В результате, UFS имеет не только большую пропускную способность по сравнению с eMMC, но и в два раза более низкое энергопотребление.

К настоящему времени выпущены спецификации трёх мажорных версий стандарта UFS:

  • UFS 1.0 — 2011 год, пропускная способность до 300 МБ/с;
  • UFS 2.0 — 2013 год, пропускная способность до 1200 МБ/с;
  • UFS 3.0 — 2018 год, пропускная способность до 2900 МБ/с.

Говоря о поколениях UFS, стоит отметить ещё два важных момента. Первый — версии стандарта UFS 2.0 и UFS 2.1 немного отличаются между собой техническими деталями, но не скоростными характеристиками. Если же в бенчмарках и будет видна какая-то разница, то связана она может быть только с использованием более совершенных чипов, но не с версией спецификации. Второй — UFS 2.0/2.1 и UFS 3.0 поддерживают двухполосный режим (2-lane или dual lane), который удваивает максимальную пропускную способность интерфейса благодаря использованию двух каналов для чтения и двух каналов для записи информации. Смартфонов с двухполосной памятью UFS 2.1 сейчас выпущено немного, среди них — OnePlus 5, Samsung Galaxy S9 и Xiaomi Mi 6. Именно сверхбыстрая память помогает этим гаджетам вырываться на первые строчки в бенчмарках при сравнении с другими гаджетами на тех же чипсетах, хотя в реальной жизни разница с однополосной памятью едва ли будет заметна.

Спецификация UFS определяет только максимальную пропускную способность памяти, но не фактическую скорость чтения и записи на реальных устройствах. Поэтому, единственный способ узнать эти показатели — практические испытания. Исходя из результатов тестирования Huawei P10, UFS 2.1 может обеспечить фактическую скорость последовательной записи до 150 МБ/с, а последовательного чтения — до 750 МБ/с. У eMMC 5.1 те же показатели составляют всего 100 и 280 МБ/с для записи и чтения соответственно.

Слева направо: UFS 2.1, UFS 2.0, eMMC 5.1

Также стоит помнить, что скорость случайной записи и чтения для обоих типов памяти будет слишком сильно отличаться от последовательных скоростей и зависеть от различных факторов. Поэтому, её принято измерять не в МБ/с, а в количестве операций ввода-вывода в секунду (IOPS). UFS 2.0 имеет фактическую производительность 18000 IOPS при чтении и 7000 IOPS при записи, а eMMC 5.0 — 7000 IOPS при чтении и 3000 IOPS при записи. Отметим, что использование памяти в режиме последовательного чтения/записи характерно для съёмки видео или просмотра фильмов, а в случайном режиме — для повседневного использования гаджета.

eMMC и UFS поделили мобильную память между собой почти везде, за исключением iPhone и iPad. Как всегда, компания Apple пошла своим путём и, начиная с iPhone 6S, использует в своих гаджетах накопители типа NVMe. И протокол NVMe, и шина PCIe, поверх которой он работает, в «яблочных» гаджетах кастомные, поэтому называть накопитель внутри новых iPhone словом SSD не совсем честно. Хотя, такие детали мало кого волнуют, и именно Apple первой приблизилась к внедрению полноценного SSD в карманные гаджеты.

Apple никогда не раскрывает полных спецификаций своих компонентов, поэтому о скорости NVMe SSD внутри iPhone можно судить только по измеренной сторонними программами скорости. А она в iPhone 8 и iPhone X достигает, не много не мало, 1250 МБ/с на чтение и 350 МБ/с на запись. Для сравнения, у Galaxy S8 с памятью UFS 2.1 эти показатели составляют 800 и 200 МБ/с соответственно.

Сравнение скорости последовательного чтения из памяти iPhone 6S с другими смартфонами

Учитывая анонс спецификации UFS 3.0 в начале этого года, Samsung, главный двигатель прогресса в мире Android, едва ли последует примеру Apple и станет внедрять в свои гаджеты SSD. С другой стороны, даже память UFS 2.1 достаточно быстра для любых сценариев использования смартфонов (включая запись Ultra HD видео на скорости 60 fps), а Apple просто обеспечила себе запас производительности памяти на несколько лет вперёд. Так что при выборе Android-смартфона стоит обращать внимание на наличие памяти типа UFS 2.0 или UFS 2.1, а если хотите — можете дождаться устройств с UFS 3.0. Вполне возможно, что одним из первых таких гаджетов станет Galaxy Note 9 или Galaxy S10.

Читайте также  Как переклеить защитное стекло на смартфоне?

Внешняя память (microSD)

Вместо процветавшего ранее зоопарка форматов карт памяти, вплоть до экзотических микродрайвов для слота CF, на смартфонах уже долгое время безраздельно властвует microSD. О том, как правильно выбрать карту памяти для смартфона, мы написали целую статью, а здесь лишь кратко повторим основные советы.

Скорость карт памяти microSD обычно указывается в двух основных градациях: класса скорости и класса скорости UHS. Класс скорости обозначается на картах памяти числом внутри буквы «С», которое соответствует минимальной скорости последовательной записи данных. Всего существует пять классов скорости с чётными индексами, от Class 2 до Class 10. Последний соответствует скорости записи 10 МБ/с. Класс скорости UHS используется в картах памяти с поддержкой шины UHS, обозначается числом внутри буквы «U». Сейчас стандарт предусматривает два таких класса, U1 с максимальной скоростью записи 10 МБ/с и U3 с максимальной скоростью 30 МБ/с.

Даже если вы планируете записывать видео в разрешении Ultra HD, вам вполне хватит самого распространённого на данный момент типа скорости карты памяти — U1. А вот старые карты с обозначениями Class 6 и Class 8, не говоря уже о более медленных, вставлять в современные смартфоны не стоит: они будут ощутимо замедлять работу гаджета.

Начиная с Android 6.0 Marshmallow в операционной системе появилась возможность объединить внутреннюю и внешнюю память с помощью функции Adoptable Storage. При её включении, карта памяти форматируется и логически становится одним целым с внутренней памятью гаджета.

После активации функции система сама будет решать, где хранить те или иные файлы, включая установленные приложения и фотографии с камеры. Есть у такого решения и минусы: карта памяти окажется «привязана» к конкретному смартфону до следующего форматирования, а аппаратный сброс устройства удалит данные и на ней. Для правильной работы Adoptable Storage карта памяти должна иметь высокий класс скорости (желательно U1). В противном случае смартфон предупредит вас о возможном падении производительности после объединения разделов.

Ряд производителей, включая Samsung и Sony, блокирует эту функцию на своих гаджетах из-за возможных проблем совместимости с фирменным ПО. Вернуть Adoptable Storage можно, как правило, неофициальными способами и окольными путями (с помощью adb или имея root-доступ), но гарантировать правильную работу этой функции не сможет никто.

Заключение

Надеемся, что наша справка поможет вам разобраться в технологиях мобильной памяти. Конечно, при выборе гаджета в ценовой категории 10–20 тысяч рублей придирки будут излишни, но, согласитесь, было бы обидно получить в дорогом флагмане память устаревшего типа. Наиболее современной комбинацией технологий ОЗУ и ПЗУ на данный момент можно считать LPDDR4x и UFS 2.1 соответственно, но LPDDR4 и UFS 2.0 не слишком им уступают и также заслуживают внимания.

Напишите в комментариях, обращаете ли вы внимание на используемые технологии памяти при выборе смартфона, или другие компоненты смартфона имеют для вас большее значение?

ПЗУ — это флеш память?

Разд е л: Память Дата: 03.05.2021 Автор: Александр Мойсеенко . Комментариев: 0

Последнее обновление: 03/05/2021

Часто при описании характеристик используются аббревиатуры без точного определения типа источника информации. Из статьи вы узнаете, что такое ПЗУ, какое назначение и применение у ПЗУ, а так же в каких устройствах используется флэш память.

Что такое ПЗУ?

ПЗУ – сокращение аббревиатуры Постоянное Запоминающее Устройство. К таким устройствам относятся любые носители информации, способные хранить записанные данные при отсутствии электрического питания: жесткие диски — HDD, твердотельные накопители – SSD, микросхемы или флеш карты.

Какое назначение у ПЗУ?

Хранение данных не изменяемых со временем или после отключения питания с целью последующего чтения.

ПЗУ все еще используется?

Да, во всех промышленных и бытовых устройствах для хранения определенных данных или запуска установленных в память программ. Наиболее распространено использование ПЗУ в компьютерах, серверах, телефонах и планшетах. Умные часы и фитнес браслеты так же содержат микросхему флэш памяти для хранения определенных данных.

Носители с флэш памятью используются в портативных и подвижных устройствах: телефоны, смартфоны, часы, браслеты, камеры и т.д. В неподвижных устройствах – сервер, персональный компьютер и т.д. применяются носители механического типа – HDD. Основная причина в дешевизне производства накопителей механического типа, так как при одинаковом объеме вмещаемых данных HDD дешевле в несколько раз. При этом носители механического типа массивнее, тяжелее и медленнее накопителей построенных на флэш памяти. Ещё HDD рассчитаны на работу только в стационарном положение, а любое перемещение выводит накопитель из строя.

Каковы 3 применения флеш-памяти?

  • Первое – хранение различной информации.
  • Второе – ускорение загрузки игр и программ за счет увеличенной скорости записи и чтения относительно носителей механического типа – HDD.
  • Третье – использование в мобильных устройствах, нуждающихся в компактном исполнении ПЗУ: ноутбуки и нетбуки, смартфоны и планшеты, автомобили и носимые аксессуары.

В чем разница между eeprom и флэш-памятью?

Разница в способе записи данных и режиме стирания. В EEPROM используется метод автоэлектронной эмиссии, а в флэш памяти – инжекция горячих носителей. Кроме того в EEPROM стирание данных выполняется побайтно, тогда как в флэш памяти данные стираются блоками. Поэтому EEPROM накопители в разы уступают в скорости записи/стирания данных флэш накопителям. Ещё для EEPROM требуется больше пространства на кристалле относительно флэш памяти, что сказывается на стоимости производства.

Флэш-память быстрее, чем SRAM?

Нет. В SRAM время доступа обычно 2 нс, тогда в флэш памяти время доступа достигает десятков или сотен нс. Ещё на скорость влияет тип флэш памяти. Наиболее быстрый тип SLC используется только в дорогостоящих серверных накопителях или в качестве кэша. Наибольшее распространение получила память TLC и QLC, существенно уступающая в скорости работе не только SLC, но и промежуточному типу MLC.

Почему оперативная память быстрее флэш-памяти?

Одна из причин в интерфейсе передачи данных. Модули оперативной памяти напрямую связаны с процессором, а для передачи данных используются линии, напечатанные на материнской плате. Пропускная способность интерфейса для работы с флэш накопителями заметно ниже. Кроме того на скорость работы влияет сам накопитель и тип используемой памяти. Чем больше бит требуется записать в одну ячейку, тем больше времени требуется чтение и запись данных.

Видео инструкции

Вывод

В статье подробно описано, что такое ПЗУ, какое назначение и применение ПЗУ. В качестве ПЗУ используются носители механического типа и построенные на микросхемах флэш памяти. Благодаря отсутствию подвижных частей флэш память широко используется в портативной и переносной электронике, тогда как накопители механического типа — стационарных устройствах. Так же отсутствие механики способствует увеличению скорости обмена данными в 10-40 раз. При этом такой скорости пока не достаточно для достижения значений оперативной памяти, превосходящую в 10-40 раз флэш память.

Какие у вас имеются вопросы? Оставляйте сообщения в комментариях внизу статьи.